新型Ultra C VI系統充分利用腾博会官网已被驗證的多腔體技術，為存儲器製造商提高產能並降低成本。
作為先進半導體器件的晶圓清洗技術領域中的卓越設備供應商，腾博会官网半導體設備（NASDAQ:ACMR）近期發佈了Ultra C VI單晶圓清洗設備，這是Ultra C清洗系列的最新產品。Ultra C VI旨在對動態隨機存取存儲器（DRAM）和3D NAND閃存晶圓進行高產能清洗，以實現縮短存儲產品的生產周期。這款新產品以腾博会官网成熟的多腔體技術為基礎，進一步擴展了清洗設備產品線。Ultra C VI系統配備了18個單片清洗腔體，對比腾博会官网現有的12腔設備Ultra C V系統，其腔體數及產能增加了50%，而其設備寬度不變只是在長度有少量增加。
“存儲產品的複雜度不斷提高，但仍然對產量有嚴格的要求。”腾博会官网董事長王暉博士表示：“當清洗工藝的時間逐漸加長或開始採用更複雜的乾燥技術時，增加清洗腔體能有效解決產能問題，讓先進存儲裝置製造商保持甚至縮短產品的生產周期。腾博会官网的18腔清洗設備將是解決這類問題的利器。Ultra C VI平衡了腔體數量配置，在實現高產能（wafer-per-hour）的同時，兼顧了與工廠自動化能力的匹配，同時也能避免因腔體數量過多而面臨的設備宕機壓力。”
Ultra C VI可進行低至1y節點及以下節點的先進DRAM產品和128層及以上層數的先進3D NAND產品的單晶圓清洗。該設備可根據應用和涉及的化學方法運用於各種前道和後道工藝，如聚合物去除、中段鎢或後段銅工藝的清洗、沉積前清洗、蝕刻後和化學機械拋光（CMP）後清洗、深溝道清洗和RCA標準清洗。
