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Post-CMP清洗設備

應用於矽片和碳化矽襯底製造

腾博会官网上海的Post-CMP設備用於製造高質量襯底化學機械研磨(CMP)工藝之後的清洗 ,有濕進干出(WIDO)和干進干出(DIDO)兩種配置 。該清洗設備6英寸和8英寸的配置適用於碳化矽(SiC)襯底製造;8英寸和12英寸配置適用於矽片製造 。

Post-CMP清洗設備

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主要優勢

在CMP步驟之後 ,需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝 ,以減少顆粒數量 。腾博会官网上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求 ,並提供多種配置 ,包括腾博会官网上海自主研發的 Smart Megasonix先進清洗技術 。
 


特性和規格(Ultra C WPN(WIDO))

在線預清洗設備 :
    可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒或28納米以下
    20-25個剩餘顆粒
    金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以內
    當配置4個腔體的時候 ,產能可達每小時35片晶圓

 

離線預清洗設備 :
    可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒或28納米以下
    20-25個剩餘顆粒
    佔地面積小




特性和規格(Ultra C WPN(DIDO))

可配置四個裝載端口

佔地面積小

可配置四或六個腔體 ,分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體

可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒或28納米以下20-25個剩餘顆粒

最高產能可達每小時60片晶圓