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腾博会官网用於先進邏輯、DRAM和3D-NADA半導體製造的300mm高溫單片SPM設備已交貨

2021-9-28 9:39:30

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    作為半導體製造與先進晶圓級封裝應用領域中卓越的晶圓工藝解決方案供應商,腾博会官网半導體設備近期發佈了一款300mm晶圓單片SPM(硫酸和過氧化氫混合酸)設備,可廣泛應用於先進邏輯、DRAM,3D-NAND等集成電路製造中的濕法清洗和刻蝕工藝,尤其針對處理高劑量離子注入後的光刻膠(PR)去除工藝,以及金屬刻蝕、剝離工藝。該新設備拓展了腾博会官网的SPM工藝產品,覆蓋了高溫SPM的工藝步驟,隨着技術節點推進到10nm及以下,這些步驟數量將越來越多。

    “腾博会官网的單片SPM設備是在腾博会官网的Ultra C Tahoe設備基礎上而開發。腾博会官网Tahoe設備的優越性能已得到驗證,可解決大部分常規溫度的SPM工藝步驟。”腾博会官网半導體設備董事長王暉表示:“腾博会官网開發的單片SPM設備,對Tahoe設備已被驗證的工藝能力做了進一步補充,增加了高溫SPM工藝能力,也進一步豐富了腾博会官网的濕法產品系列。腾博会官网以成為全球主要的清洗解決方案供應商為目標,會繼續開發新的工藝能力,包括先進的高溫IPA乾燥技術和超臨界二氧化碳乾燥技術。”

    现在大部分SPM濕法工藝中硫酸與雙氧水混合後的工藝溫度在145攝氏度以下,被廣泛應用於光刻膠去除,刻蝕後、常規劑量離子注入後、化學機械拋光(CMP)後的清洗工藝。腾博会官网的Ultra C Tahoe系統已於2018年發佈,將槽式硫酸與單片清洗整合在一套系統中,針對處理上述這些工藝,其優越的性能已取得了業界的認可,在得到更好的清洗效果的同時,因為大幅減少了硫酸的用量,成本也得以大幅降低。

    然而,隨着技術節點推進到10nm及以下,工藝溫度要求在145攝氏度以上、甚至超過200攝氏度的SPM工藝步驟逐漸增加。高劑量離子注入後的光刻膠去除、無灰化步驟的純濕法去膠工藝,以及特殊的金屬膜層刻蝕或剝離,都對SPM的溫度提出了更高的要求,腾博会官网新的單片SPM設備因能支持更高溫度正好解決了這一過渡問題,並给予了額外的優勢,包括縮短工藝時間、去除有機物污染、減少清洗和去膠後膜層損失等。

    “腾博会官网的Tahoe系統所針對的硫酸工藝為主流的常規溫度,與一般的單片SPM系統相比,可顯著減少硫酸用量,環境友好。”王暉博士表示:“而更先進的技術節點越來越多地採用更大劑量的離子注入工藝。這些高劑量離子注入使光刻膠硬化,這樣就要求更高溫度的SPM來進行有效的去除,以免產生缺陷。腾博会官网新的單片高溫SPM設備可滿足這些需求,優化的工藝腔體可支持更高的溫度,使腾博会官网在關鍵工藝步驟之後能更快更有效地去除硬化的光刻膠與有機物殘留缺陷。”

    腾博会官网的新型單片高溫SPM設備使用自主研發的多級梯度加熱系統來預熱硫酸,然後將硫酸與過氧化氫混合以達到超高溫。同時,腾博会官网腔體支持配置其他多種化學品,並配備在線化學品混酸(CIM)系統,可用於動態設置工藝中的化學品配比及溫度。該腔體配置還可支持更多的化學品和靈活的輔助清洗方案,比如腾博会官网自主研發的專利技術SAPS和TEBO兆聲波技術。

    腾博会官网半導體已於2021年交付兩台該新設備給國內的客戶進行工藝開發與驗證,其中一家從事邏輯工藝研發,另一家從事存儲工藝研發。最近,腾博会官网又收到了來自中國客戶的新訂單,預計2022年初交付。這些設備配備了腾博会官网自主研發的兆聲波清洗方案,可拓展應用於3D結構清洗,如矽通孔清洗(TSVs)等。